80% брака. Китайцы сами освоили выпуск передовой памяти HBM3, но без западных технологий пока получается не очень

С памятью DRAM все было гораздо прощеКитайская CXMT столкнулась с серьезными трудностями при освоении массового производства HBM3 высокоскоростной памяти, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта. По данным корейского издания Chosun, первоначальный выход годных восьмислойных чипов составляет всего 2530. Источник изображения: CXMT https:www.cxmt.comenproduct.htmlСитуацию усугубляют последующие испытания. Источники утверждают, что финальную проверку проходят лишь около 70 уже отобранных изделий. В результате итоговый выход годной продукции может составлять всего 1821: условно из 100 произведенных HBM-чипов 80 бракованные.Главные сложности связаны не с производством самих кристаллов DRAM, а с их объединением в многослойную память HBM. В отличие от обычной оперативной памяти, такие чипы состоят из нескольких кристаллов, уложенных друг на друга и соединенных вертикальными проводниками TSV (Through-Silicon Via).Для создания TSV в кремнии формируются тысячи микроскопических отверстий с вертикальными электрическими соединениями. По данным источника, один HBM-чип CXMT может содержать около 3000 таких соединений, и именно этот этап остается одним из самых проблемных. Поскольку дефект на любом этапе делает непригодным весь стек памяти, производство HBM значительно сложнее традиционной DRAM.До сих пор CXMT успешно наращивала позиции в сегменте обычной DRAM, чему способствовало перераспределение производственных мощностей крупнейших игроков в пользу HBM. Однако освоить выпуск многослойной памяти оказалось значительно сложнее.Источник: https:www.ixbt.comnews20260909433505-80-braka-kitaicy-sami-osvoili-vypusk-peredovoi-pamiati-hbm3-no-bez-zapadnyx-texnologii-poka-polucaetsia-ne-ocen.htmlmarker99JJAFjKeBo9yw0ZEAe21″:80 брака. Китайцы сами…