Инженеры в США создали флеш-память, которая выдерживает зашкаливающую радиацию|

Инженеры в США создали флеш-память, которая выдерживает зашкаливающую радиацию

Космические миссии уходят все дальше от Земли — это реальность. И то, что память космических аппаратов должна выдерживать подчас просто невообразимые радиационные и галактические нагрузки, тоже реальность. Как защитить эту память — вопрос архиважный.

Инженеры из Технологического института Джорджии создали флеш-память на ферроэлектриках, которая выдерживает радиацию в 30 раз выше, чем стандартные решения. Чипы показали устойчивость к дозе в 1 миллион рад — это как 100 миллионов рентгеновских снимков, сообщает New-Science.ru.

Ученые поясняют: обычная флеш-память типа NAND — та же самая технология, что используется в смартфонах, ноутбуках и дата-центрах, сегодня является самым передовым решением для хранения больших объемов данных в космосе, предлагая емкость в терабитном диапазоне. Однако космическая радиация может значительно ухудшать характеристики. Почему? Она взаимодействует с захваченными электрическими зарядами, которые хранят данные, что приводит к их искажению или разрушению.

Исследователи вроде как нашли выход. Ферроэлектричество означает способность определенных материалов сохранять постоянную спонтанную электрическую поляризацию. Эта поляризация хранит данные иначе, чем в обычной флеш-памяти, и это различие имеет решающее значение в условиях радиационного воздействия.

Читайте "Российскую газету" в Max — подписаться

Материал, который делает это возможным, — оксид гафния. Кремний-совместимое соединение, в котором ферроэлектричество было впервые обнаружено пятнадцать лет назад. Степень радиационной стойкости, продемонстрированная новой архитектурой, стала неожиданностью даже для самой команды: чипы выдержали до 1 миллиона рад (поглощенная доза радиации), что эквивалентно воздействию 100 миллионов рентгеновских снимков!

Источники:Российская газетаВсе источники